天极网11月26日消息 意法半导体(STMicroelectronics，ST)日前宣布，已开始量产采用VFBGA55封装的256Mbit 小型页面(Small Page) NAND型闪存芯片。
新组件采用薄型8×10毫米球栅数组(BGA)封装，能让制造商在照相手机、智能电话、低成本数字相机、PDA、USB相机记忆卡，以及其它受到体积限制的可携式产品中增加更多内存容量。
新产品厚度仅1毫米，能与其它NAND型闪存兼容，可节省20%的电路板使用面积。NAND256是ST NAND型闪存系列的新产品，这一系列产品包含了128Mbit、256 Mbit、512 Mbit、1Gbit等版本，可操作在1.8 V～3.0 V的供给电压中。
新组件提供超快速数据传输率与擦除能力，并具有手机、PDA与他可携式设备所需要的低功耗编程与低电压操作特性。该组件采用先进的120纳米制程技术，其超小型内存单元尺寸能大幅降低成本。
新的内存是由2,048个16 Kbyte的区块组成，每个区块可分割成512 Bytes的页面，每个页面都有附加的16byte空间，同时，每个页面均可执行读取与编程动作。附加的内存空间可用于错误修正、软件卷标或毁损区块的识别。拷贝回存编程(Copy Back Program)模式能将数据储存在一个页面中，然后直接对另一个页面进行编程，无需额外的缓冲区，当页面编程作业在一个失效区块上进行时，此功能可发挥很大的作用。新组件还提供区块擦除指令，擦除一个区块的时间仅需2毫秒。每个区块均可承受至少100,000次的编程与擦除循环，资料保存期限为10年。
ST也提供完整的软件工具组合，以协助客户迅速使用新内存芯片开发产品并延长产品使用寿命。这些工具包括错误修正码(Error Correction Code，ECC)软件；毁损区块管理(Bad Block Management，BBM)功能；可延缓组件老化的平衡读写算法(Wear Leveling algorithms)；文件系统OS Native参考软件；以及硬件仿真工具。
新组件还包含通电后自动从第0页开始读取的功能，可作为NAND内存的开机应用；以及无需介意芯片启动(Chip Enable Don't Care)’功能，可简化微控制器的介面设计，同时能简化将NAND闪存与NOR闪存、SRAM等整合的过程。另外，独特的组件识别码则能由制造商自行编程，而用户可编程序列码的应用可为用户增添安全功能。
NAND256W3A (3V)与NAND256R3A (1.8V)现在都能以VFBGA55封装形式供货，尺寸为8×10毫米，采购量为100,000颗时每颗单价6.5美元。（完）
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