天极Yesky6月13日消息 英飞凌科技与IBM日前共同宣布，透过在高效能逻辑基础结构上整合磁阻内存组件，合作开发出目前最先进的磁阻随机存取内存(MRAM，Magnetic Random Access Memory)技术。

　　在本周举行的国际VLSI技术研讨会中，IBM与英飞凌共同发表了高速128 Kbit MRAM核心，采用0.18 微米逻辑制程技术制作，为目前业界尺寸最小的产品，这项技术将促使IBM与英飞凌能够整合体积最小的1.4平方微米MRAM，约为普通铅笔笔尖的二千万分之一，透过在这么小的单元中精确地架构实现磁阻结构，IBM与英飞凌的研究人员能够进行内存读写动作的控制。

　　MRAM的非挥发性也可以节省电源消耗，由于MRAM并不需要持续的电源来保存数据，因此比起现有的随机存取内存技术耗电要小上许多，可以大幅延长行动电话、手持式设备、笔记型电脑与其它以电池做为主要电源产品的电池使用时间。

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