亿恒科技：公布高密度1GB DDR333内存样品

　　慕尼黑，德国 - 7月1日，2002 - 亿恒科技(Infineon Technologies)今日正式公布了业界首款容量达到1GB(Gigabyte)之超高密度Registered DDR SDRAM DIMMs(Dual Inline Memory Modules)工程样品，它由36颗采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装的独立256Mbit内存芯片构成，适用于高阶工作站及服务器市场。由于采用新型FBGA封装，其体积要比传统TSOP-II (Thin Small Outline Packages)封装产品缩小60%左右(96mm2 / 262mm2)，不但同样体积电路板上能够集成的芯片数量得以倍增，另外还可使线路阻抗减小同时降低杂讯干扰，另外较短的线路还能够降低发热量，对于有限空间的散热有相当大的帮助，因此大幅提升了内存长时间工作的可靠性。

　　这种新型内存适用于1U(1.2英吋)规格及刀片式服务器使用，采用184针界面，工作电压2.5V，数据传输带宽达到2.7GB/sec(DDR33)，同时向下兼容DDR266/200，样品官方定价为1,300美元，只根据客户需求小量出货。