三星：宣布投入磁电阻式随机存取内存研发

　　继英飞凌、摩托罗拉及赛普拉斯等业者之后，韩商三星电子日前也宣布投入磁电阻式随机存取内存(MRAM，Magnetic Random Access Memory)研发，三星同时表示已在磁电阻式随机存取内存研发上取得重大突破，成功克服了因氧化层厚度而可能产生的问题。

　　三星指出，只要采用区感应(Sensing)架构制造磁电阻式随机存取内存，每一个区域都拥有自身参考值，即使氧化层厚度变化过大，也可根据参考值将阻值降到最低。

　　据了解，目前包括摩托罗拉、赛普拉斯都已成功开发出可正常工作的磁电阻式随机存取内存样品，但碍于其氧化层厚度微小误差影响导致磁电阻式随机存取内存磁通道接面(MTJ)阻值差异变化，所以暂时无法规模量产，目前仅有摩托罗拉表示将于明年推出4MB容量的嵌入式磁电阻式随机存取内存产品。

　　磁电阻式随机存取内存属于非挥发性内存，是以磁电阻特性储存记录信息，具有低耗能、非挥发、半永久特性。磁电阻式随机存取内存最终主要目标是在整合电脑内部所有的内存，使未来SOC中只剩下微处理器与磁电阻式随机存取内存。

　　磁电阻式随机存取内存运作的基本原理与在硬盘上存储数据一样，数据以磁性的方向为依据，存储为0或1，所储存的数据具有永久性，直到被外界的磁场影响之后，才会改变这个磁性数据。就读取速度而言，磁电阻式随机存取内存为25～100ns，与SRAM(静态随机存取内存)相近；在写入次数上，磁电阻式随机存取内存与DRAM(动态随机存取内存)及SRAM一样，都可写入无限次的记忆；在耗电量上，磁电阻式随机存取内存较SRAM具有较低耗电的优点。

　　在制程上，磁电阻式随机存取内存金属底层是以CMOS Logic制程完成，比DRAM的制程技术简单。磁电阻式随机存取内存的制程核心技术在于将晶体管往上层堆栈。