Silicon Access Networks公司作为路由器市场的高性能
网络处理产品提供商，已开发出世界上最快的0.18微米制艺的DRAM以代替SRAM，应用于高性能网络路由器。
新DRAM内存有两种，一种是高速智能内存，运行在133 MHz下；另一种叫高密度智能内存。这两款内存都是基于EmbDRAM(TM)工艺
设计制造的，由台湾半导体制造商开发。具备高性能、高密度、TSMC处理，和标准0.18微米逻辑处理速度等特性。其中高密度智能内存的容量为高速智能内存的两倍，但工作频率方面，前者只有后者的一半。
EmbDRAM工艺采用标准1.8伏电压，对每个内存时钟而言，可降低电源消耗。根据已出版的公告，目前最快的内存速度为8ns，核心电压为2.5v。新DRAM内存速度可达7.5ns，核心电压为1.8伏特。高速度低电压是其最大的优势。
产品性能
高速智能内存：
随机访问速度达133 MHz
250 MHz页模式运行速度，块尺寸减小为32Mb
I/O带宽达到4096 bits，随机访问带宽超过100Gb/s
低能耗
高密度智能内存：
随机访问速度达到66 MHz 网络缓冲区达到128 Mbits
166 MHz页模式运行速度
标准SDRAM界面
另外， ANetworks公司正在开发第二代智能内存，应用于OC768的内置式DRAM内存，随机访问速度达到266 MHz。预计第二代内存将于2000年投放市场。
