圣塔克莱拉，加利福尼亚，9月16日，2002年 - 全球最大的
芯片制造商，同时也是
电脑、
网络和通讯产品的领先制造商的英特尔公司今天宣布了将九十纳米(nm)制程引入通信产品的计划，其中包括采用高速硅锗晶体管和“混合信号(mixed-signal)”电路技术。这将掀起新一轮速度更快、集成度更高、成本更低的通讯芯片的发展浪潮。通过采用九十纳米制程，将可提供移动电话、无线数据网络和新兴“个域网络(personal-area-network)”服务的单芯片手持设备的出现，同时也可使网络基础设施设备的外形更小、成本更低。
英特尔公司执行副总裁兼通讯事业部总经理Sean Maloney说：“计算与通讯技术的融合将使我们能够创建出速度是目前的两倍、晶体管数量是现有芯片2.5倍的新一代通信芯片，并同时大幅降低成本。混合信号、硅锗技术和我们最先进的CMOS制造工艺的完美结合将把摩尔定律的优势带入到通讯芯片领域，并将使英特尔在技术上比竞争对手领先至少一代。”
新制造工艺结合了英特尔的九十纳米逻辑制造工艺和先进的“混合信号”技术。该技术使以前需要由多块芯片提供的模拟和数字功能现在能够集成在一块芯片上。凭借这一技术，英特尔将把一些关键的模拟组件直接集成到芯片上，并改变某些功能的实施方法以使其能集成到芯片的逻辑部分。通过改变数字CMOS晶体管上的模拟功能的实施方法，通讯芯片的性能、功耗、集成度和成本将同样遵循摩尔定律而飞速发展。 新型硅锗晶体管
硅锗晶体管的诞生极大提高了用于高速通讯设备(如光交换机和无线基站)的晶体管的速度，同时降低了它的噪声。这些晶体管拥有极高的速度，可支持诸如光组件(每秒处理50GB以上的数据)等系统，采用英特尔九十纳米制造工艺制造的硅锗和CMOS晶体管电路能够将创建光子系统所使用的芯片和流程数量减少一半；或是将无线组件直接与天线连接而无需使用占用空间和功率的中间电路(intervening circuitry)。更多的先进性
英特尔的九十纳米通讯制造工艺与英特尔九十纳米逻辑制造工艺的基础技术基本相同，包括使用应变硅技术(strained silicon technology)的高性能、低功耗数字CMOS晶体管，带有新型低温(low-K)电介质的七层铜互连层以及一平方微米的SRAM单元。除了硅锗异质结双极晶体管(silicon-germanium heterojunction bipolar transistors)，九十纳米通讯制造工艺的新特性还包括高压RF模拟CMOS晶体管、支持模拟电路的精密电容器和电阻、高Q电感器和变抗器(inductors and varactors)。
英特尔将在三百毫米晶圆上制造所有九十纳米制程通讯芯片，从而可实现大规模生产并大幅度降低制造成本的目标。基于新型九十纳米制程的第一款通讯芯片计划于明年推出。
英特尔公司官方网站 - 发表新闻稿(英文):
http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20020916net.htm
