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美芯片厂开发极紫外线光刻技术

2000-05-24 00:00作者: 出处:PCB世界责任编辑:
  目前包括美国英特尔公司(Intel)、超微公司(AMD)以及摩托罗拉公司 (Motorola)在内的美国芯片制造商,现正与美国官方合作,试图开发新的极紫外线(EUV)光刻技术,好让半导体业者能够利用0.1微米以下的技术制程来设计芯片。

  研究人员透露,一旦新技术研发成功,不只芯片运算速度会加快100倍,芯片容量也会比现有制程产品多出100倍。这再次验证了莫尔定律的准确。半导体界通称的莫尔定律,是由英特尔公司共同创办人莫尔(GorkonMoore)在35年前发表的观察结果,他认为芯片内的电晶体数目每隔18个月就会增加一倍,这项预测后来成为半导体业的研发准则。

  目前芯片制造业者采用的光刻技术开始碰到瓶颈,全球晶片业龙头英特尔,寄望EUV能够延长莫尔定律的寿命,因此积极与美国能源部辖下的虚拟国家实验室(VNL)合作。虚拟国家实验室的成员有三个,分别是仙锹亚国家实验室、罗伦斯利物摩实验室以及罗伦斯柏克莱实验室。

  虚拟国家实验室高层主管史杜伦指出,英特尔与超微当前生产的芯片中,速度最快仅1个十亿赫兹GHZ,未来利用EUV技术生产的芯片,速度可高达10个GHZ。同时参与此计划的民间财团EUVLCC主管葛文估计,业者大概将在2005年即可使用新技术。

  这项计划是美国官方与民间企业有史以来最大的合作案,光是民间企业资助的经费就高达2.5亿美元。
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