华邦电子：将于下月量产0.13微米高阶制程

　　华邦电子日前于台北西华饭店举行2002年度产品发表会，畅谈2002年新产品发展趋势及行销策略, 藉以增进客户互动机会，建立长期的合作关系,并为新产品拓展开启指针。华邦副总经理王其国同时在会上表示虽然市场对DRAM景气看法不一，但下半年会随着传统景气循环而复苏，而华邦0.13微米高阶制程良率近期也已获得突破达到70%水准，单片八吋晶圆产出的良好DRAM颗粒已超过旧制程。

　　虽然华邦此前已表明将逐步淡出标准型DRAM市场，但由于目前DRAM占其每月营收比重仍超过五成以上，所以近期华邦也开始加速新制程的调整与量产时程，以有效降低制造成本。由于0.13微米制程良率问题得以解决，华邦表示将从九月开始以新制程量产投片，年底前0.13微米制程投片量可占总产能的25%。

　　王其国表示，华邦第三季仍以0.16微米为主要制程，其所占产出比重达60%左右，不过近期0.13微米新制程良率已获得突破，产出良率已可达到70%，采用新制程的八吋晶圆产出良好DRAM颗粒已超过旧的0.175微米制程，因此华邦下个月将可开始以0.13微米制程量产投片。华邦还表示目前DDR出货量已占到DRAM总产能的九成左右，其中DDR333规格产品所占比重也为九成，其中约有三成DDR333芯片能够符合DDR400规格。