美商明导国际(Mentor Graphics)日前它已大幅加强Calibre系列的分辨率强化技术(RET)工具，确保Calibre分辨率强化技术的建模精准度(modeling accuracy)有效满足未来三个技术节点需求。这些加强功能大幅改善次100纳米分辨率强化技术的建模精准度，若想透过提高
芯片良率和缩短从
设计到芯片制造的所须时间(time-to-silicon)来增加客户获利能力，它们就是不可或缺的要件，特别是对于要求严格的65纳米和更先进制程。
为协助IC制造商处理次波长大小的电路结构，负责将电路图形转印至芯片表面的复杂微影系统必须满足严格要求；在次100纳米领域，制程适用范围 (process window，可制造良好芯片的制程参数范围) 会大幅缩小，分辨率强化技术的建模精准度也变得更加重要。进入次100纳米世代后，重要IC电路结构的大小只有曝光设备波长的三分之一，此时要确保图案转印的
传真度，使它不受转印过程失真的影响，微影系统就必须提供精准的分辨率强化技术建模能力。
执行全芯片分辨率强化作业之前，必须先完成重要
模型校准和模型建立等多个步骤。在模型设定过程里，使用者必须输入许多重要参数，例如测试图案芯片量测值、曝光波长、数值孔径(NA)、标准差(sigma)以及照明模式(illumination pattern)。
