三星电子4日表示，已自行开发出覆晶封装（Flip Chip）技术，并推出应用此一技术的新款PBGA（塑胶球型栅状阵列）800Mbps 16M DDR SRAM样品，提供全球主要的系统业者。同时，计划自今年下半年开始量产，积极抢攻服务器与工作站等高速内存市场。

　　此外， 三星电子还计划在明年上半年推出1Gbps产品，以加速对新一代高速内存市场的攻掠，并计划将覆晶封装技术扩大应用到其他内存产品上。