您现在的位置： 天极网 > 三星发表覆晶封装的16M DDR SRAM
三星发表覆晶封装的16M DDR SRAM
来源：全球电子报 作者： 责任编辑： 发表时间:2001-04-07 09:24 评论()
三星电子4日表示，已自行开发出覆晶封装（Flip Chip）技术，并推出应用此一技术的新款PBGA（塑胶球型栅状阵列）800Mbps 16M DDR SRAM样品，提供全球主要的系统业者。同时，计划自今年下半年开始量产，积极抢攻服务器与工作站等高速内存市场。
此外， 三星电子还计划在明年上半年推出1Gbps产品，以加速对新一代高速内存市场的攻掠，并计划将覆晶封装技术扩大应用到其他内存产品上。
相关报道
1
本文导航>>
- 1.三星发表覆晶封装的16M DDR SRAM