摩托罗拉: 2003年拿出4-Mbit MRAM内存样品

　　摩托罗拉的研究人员日前在2001年国际固态半导体年会上展示了一块采用0.6微米CMOS制造工艺，容量为256-kilobit（32KB)的MRAM(磁性随机存取内存)样品。摩托罗拉的研究人员 并表示他们将在2003年拿出第一块4-Mbit MRAM内存样品 ，2004年实现MRAM成品上市。4-Mbit MRAM内存样品预计将采用亚0.2微米CMOS制造工艺。MRAM(磁性随机存取)内存的出现，将使得目前价格高昂的 FLASH闪存黯然失色，磁力在MRAM自身内部单个晶体管中形成的磁隧道连接可以经受住1百亿次的反复读写，并在系统电源切断之后，仍旧保持先前的数据。