IBM日前宣布发展采用绝缘层上覆矽（SOI）逻辑制程的嵌入式DRAM，以强化其系统单
芯片（
SOC）产品的技术。
SOI制程技术有助于DRAM电路速度的提升，和缩小DRAM的封装体积，这两项技术均是制作更先进半导体的关键。分析家认为，IBM在SO芯片生产上可能领先同行2年，此次发展嵌入式DRAM，是IBM出于因应高性能要求而考虑的，但其未来市场空间有多大还无法确定。
嵌入式DRAM可弥补分离式DRAM密度低、性能不高的缺陷。99年嵌入式DRAM出货量为1,200万颗，2000年预计可达2,000万颗。2004年可望增长到2.24亿颗。
