华邦电子今(26)日与日本(Toshiba)签署共同开发新一代 0.13微米沟槽式(trench)DRAM技术，并应用在生产512M DRAM的高阶产品。过去长期移转东芝技术的华邦，此次合作共同开发，颇有展示该公司在DRAM生产技术提升与全球布局的企图。
●华邦与东芝首次采用「共同合作开发」模式
过去国内DRAM厂多是直接引进日系厂技术，以大幅降低跨入DRAM市场的障碍。华邦DRAM产品事业群执行副总邱光一表示，该项合作计划是自1995年华邦与东芝签订0.35微米技术移转合约後，双方首度以「共同合作开发」结盟。邱光一指出，与国际大厂策略联盟是DRAM产业发展必行之路。由于华邦与东芝长年建立良好关系，所转移的0.35微米技术後，已历经叁个世代的制程。现在协议共同开发第四代0.13微米制程，证明华邦多年致力DRAM的研发与制程能力，已获东芝认同。华邦1999年底成功产出国内第一颗、全球第四颗0.175微米制程的256M DRAM。
●研发地点设于东芝 未来亦运用在非DRAM产品
目前这项共同研发将采技术、资金、人力与智权整合，而地点设于日本东芝的DRAM制造中心，研发团队分别由这两家公司的技术人员组成，目的在使两家公司日後都有能力在各自的工厂实际生产。华邦预计于2001年第四季在南科四、五厂生产此项开发产品，产品种类以512M高阶DRAM为主。除此外，两家公司未来也将以此项制程技术，运用设计、开发与制造于非DRAM产品的设计。
