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中国科学家首次发现并合成“纳米带”
来源:新浪科技 作者: 责任编辑: 发表时间:2001-03-09 14:41 评论()
先是纳米管,接着纳米线,现在留美的三位中国科学家又为纳米世界迎来一位新客人——“纳米带”。这是世界上首次发现并合成出半导体氧化物的纳米级带状结构材料。
这三位研究人员分别是王中林教授、潘正伟博士和戴祖荣博士,他们现在在美国亚特兰大州佐治亚理工学院专门进行纳米材料研究。
据研究小组负责人王中林教授介绍,他们利用金属氧化物制造出10至15纳米厚、30至300纳米宽的新材料。这种材料有可能制造出价格便宜的超微感应器和元件。王中林说:“这是纳米技术中非常重要的一个研究领域。如果我们能够成功地开发出其应用方法,将可能引发纳米级感应器和功能设备的巨大进步,制造出能耗低敏感度高的产品。”
与已广为人知的纳米管相比,“纳米带”也有很多优势。纳米管比钢硬,有惊人的导电能力,这些特点使它成为20世纪90年代中斯纳米科学研究的宠儿。但纳米管广泛应用却面临一个严重的障碍:它很难在大量生产的情况下,保证材料没有任何缺陷,而稳定性正是电子设备所必须的。
王教授指出:“任何纳米级材料中的缺陷都会严重影响材料的电子和机械性能,当通过电流时,用这些材料制造的元件可能发烫。如果以非常高的密度把这些元件放入设备中,可能会最终导致整个系统瘫痪。”而“纳米带”虽然缺少柱形纳米管所具有的高结构力,但它能够在简单和可控的生产过程制造出来,大量生产时也能保持结构统一,没有缺陷。
研究人员现在已经成功开发出氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化镉和氧化镓的“纳米带”。并预测整个半导体金属氧化物都可能制造出“纳米带”。这项成果将刊登在将于8日出版的美国《科学》杂志上。
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