赛普拉斯高密度网络SRAM采用90纳米制程

　　赛普拉斯半导体公司日前宣布它已经用六个晶体管的90纳米(0.09微米)RAM9制程技术成功制造出了世界上密度最高的SRAM功能硅。这种72 Mb同步SRAM工作为在OC-48及更高的速度上，支持下一代网络应用。

　　赛普拉斯存储产品部高级副总裁Antonio Alvarez表示：「采用90纳米制程技术开发72 Mb同步SRAM巩固了我们在网络SRAM市场和技术创新上的领先地位。这款产品是当今市场上密度最高的SRAM，到今年末，还将有许多产品采用RAM9制程技术制造。」

　　iSuppli公司的高级存储器分析师Betsy Van Hees说：「通信市场上的客户不断地为高速网络应用寻求密度和成本效益更高的SRAM。赛普拉斯最近采用90纳米制程技术开发出了72Mb同步SRAM，这证明它有能力成为SRAM市场的领先厂商。赛普拉斯现在提供的是领先于竞争对手的、技术最先进的产品。」

　　RAM9制程技术正在赛普拉斯位于美国明尼苏达州Bloomington市的第四工厂中使用。除了这款72 Mb同步SRAM，赛普拉斯将于2003年末和2004年初制造出另外两个目前处于设计阶段的产品系列的功能硅。这些产品系列是赛普拉斯数据速率超过300MHz的下一代网络Quad Data Rate(QDR) SRAM和功率低于标准SRAM的低功率More Battery Life(MoBL) SRAM。

样品

　　赛普拉斯72 Mb同步SRAM样品预计将于2003年下半年开始提供。