IBM研制出世界上最快的硅晶体管

　　IBM于近期宣布已经研制出世界上最快的硅晶体管。新的晶体管预期将在两年内使通信芯片的速度达到100GHz，这比竞争对手最近发布的计划要快5倍并提前4年。
 
　　该新型晶体管在以往产品的基础上进行了结构改进，并采用了IBM卓有成效的硅锗(SiGe)技术，速度提高到了210 GHz，而通过的电流仅为1毫安。这意味着新的晶体管比目前的产品在性能上提高了80%，而能耗却降低了50%。

　　晶体管的速度在很大程度上取决于电流通过他们的速度，而电流速度又受控于制造晶体管的材料和电子在晶体管中所经过的距离。标准晶体管是由普通硅制成的。1989年，IBM通过添加锗改进了基础性硅材料，大大提高了电流的速度，使性能得以改进并降低了能耗。此后，IBM在使用硅锗材料的同时又对结构设计进行了改进，缩短了电流路径，提高了设备的速度。

　　新发布的晶体管表明IBM的硅锗技术已经达到了新的高度。为了满足迅速发展的英特网和电子商务的需要，网络设备的改进将永无止境。在此情形之下，IBM的硅锗技术作为一种提高晶体管性能的有效途径就显得更为重要了。IBM的硅锗技术还有一个优势：硅锗芯片可以安装在以前的产品线之中。这对于以低成本方式迅速推广该技术来说十分重要。这已经使硅锗技术的应用领域扩大到蜂窝电话和其他无线通信设备，实现了功能的扩展和电池寿命的延长。

　　IBM通信研究开发中心副总裁兼研究员Bernard Meyerson表示：“过去大家曾一度认为飞机的速度不可能达到“超音速”。同样，硅晶体管的速度也一直被认为难以逾越200GHz。但是现在，网络设备等高性能电子产品的制造商不再受芯片问题的困扰。即使不用特殊的昂贵材料，所制成的芯片一样也同样可以达到所需的高速。毫无疑问，硅将成为芯片制造业最受欢迎的材料。”

　　为了提高目前的网络速度，顶级通信设备制造商正在利用新的IBM技术来制造更快、更高效的产品。