英特尔成功发布最先进的90纳米CMOS制造工艺

　　英特尔已经展示了具有众多业界领先特性的世界上最先进的90nm逻辑工艺。这一新工艺计划在2003年应用于生产，用来制造微处理器和其它英特尔产品。

　　该工艺综合了许多业界最卓越的技术：
　　●在生产中实施了世界上最小的CMOS晶体管：50nm栅极长度(更高性能，更低功耗)
　　●在生产中实施了最薄的氧化物栅极：仅1.2nm(厚度小于5个原子层)
　　●最先在生产中使用性能增强型应变硅。

　　应变硅中的原子比在普通硅中更加分散，这使电流能够更自由地流动，就像车道较宽的路面上交通更通畅那样．这样的结果就是：制造成本仅增加2%，晶体管性能提高了10-20%。

　　300mm晶圆上具有的这些特性组合使英特尔产品在性能、产量以及成本上都处于有利地位。

　　随着英特尔继续按照摩尔定律前进，不断改善从最强大的台式机、服务器到最先进的移动和手持设备等众多产品的性能及电池寿命，用户将成为真正的获益者。

　　英特尔的90nm技术打破了多项记录：
　　●采用这一工艺，英特尔已开发出世界上容量最大、功能最全面的52MBSRAM内存芯片(2002年3月)。这些芯片在不足指甲大小的面积(仅10.1mm x 10.8mm) 上集成了3.3亿个晶体管。

　　这些芯片还集成了世界最小的SRAM单元，测量面积仅为1平方微米。那会有多小呢？一个红血球大约比一平方微米的SRAM单元大100多倍。
　　●这一工艺还生产出了迄今为止密度最高的晶圆，一片直径300mm晶圆上包含1,200亿个晶体管。

　　这一新工艺由位于俄勒冈州希尔斯伯勒市的英特尔300mm开发实验室(称为D1C)研发。它将与先进的193nm和248nm光刻工具结合使用。英特尔计划在300mm晶圆上只采用90nm技术，预计明年将这一工艺用于芯片的批量生产。