据iSuppli最新统计数据显示，韩商三星电子本年度再次成为静态存储器（SRAM，Static RAM）全球市占率第一的厂商，这也是三星连续第八年成为静态存储器市占率龙头业者，而在闪存业务（Flash）上，三星也有仅次于英特尔公司的亮眼表现。
iSuppli统计数据显示，三星本年度静态存储器全球市占率达31.6%，大幅领先排位第二的赛普拉斯半导体，后者本年度的全球市占率为11.9%，而排位第三的IBM及排位第四的日立与赛普拉斯的市占率总和也仅为29.6%，仍不及三星市占率。
至于闪存业务，三星本年度全球市占率由去年的4.6%，急速飙升到16.6%，仅次于市占率为25.9%的英特尔公司，
东芝以11.5%全球市占率排名第三，而超微半导体（
AMD）与
富士通分别以8.8%、7.9%市占率排位四五。
静态存储器的速度比动态随机存取
内存DRAM快五倍以上，三星目前提供低功耗静态存储器（Low Power SRAM）及高速SRAM（High Speed SRAM），其中包含1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb sync（同步）、A sync（异步）及FAST SRAM的产品。
闪存是一种存储媒体, 它不需
电源也能保存数据, 但写入数据的速度较慢，三星目前主要提供NAND Gate 4Mb、16Mb、32Mb、64Mb、128Mb、256Mb、512Mb及1Gb容量的闪存，其功能只可用于数据储存，无法像NOR Gate闪存可程式化，三星同时也提供可储存数据与可程式化的NOR Gate闪存，分别有16M、32M bit容量型号。
