天极Yesky5月6日消息 在与德国半导体大厂英飞凌(Infineon Technologies)拆伙后，日本尔必达内存(ELPIDA)与茂德科技今(6)日共同宣布，双方已签定一份有关内存芯片技术授权的备忘录，双方将共同发展下一世代的动态随机存取内存(DRAM)制程。合作发展制程技术内容为0.10微米及未来0.10微米以下的制程技术，范围则包括内存相关产品。这项合约还包含产品的采购与供应，双方更将协同开发领先市场之先进内存产品。
茂德和Elpida在一份声明中表示,双方已签署谅解备忘录，允许後者的技术转移给茂德,技术转移将从0.10微米制程的动态随机存取记忆体(DRAM)晶片开始。该协议中还包括购买茂德产品的安排，Elpida为日本NEC和日立制作所各占一半的合资公司。
这是Elpida在今年第二次与台湾企业结盟。Elpida在3月已与台湾DRAM制造大厂力晶达成以技术换产能的协议。本次结盟对Elpida追求成为世界第三大DRAM晶片生产商多有助益，多数行业评级机构认为Elpida的市场占有率列世界第六。
尔必达是日本内存领导大厂，素以优越先进的制程技术备受全球市场肯定。茂德科技则累积卓越的技术能力与制造优势，并且以快速因应市场需求和领先推出最先进的高品质内存产品而缔造佳绩。两强的完美组合，将为未来的团队奠下市场致胜的基础。
「茂德科技拥有绝佳的技术能力与制造优势，」尔必达社长坂本幸雄说，「这次结盟能够强化尔必达的产能，让我们可以更快速地响应市场需求，提供最高品质的内存产品。」
「尔必达是日本DRAM大厂中的领导者，更因卓越的先进技术受到全球业界的肯定，」茂德科技总经理陈民良表示，「我们之间的策略结盟预示全球半导体市场迈向一个全新的纪元，更是茂德永续成长的全新契机。」
尽管与Elpida的合作使茂德获得新的技术来源，但同时也伴随着技术方面的挑战。茂德原先采用英飞凌的“沟槽式”(Trench)技术生产DRAM,现为了使用Elpida的“堆叠式”(Stack)技术，还需要对设备进行改造。
关于尔必达公司
尔必达公司是动态随机存取内存的领导大厂，企业总部设于日本东京，于日本、北美、欧、亚等洲都有业务行销机构。尔必达提供完整而且先进的DRAM产品线，包括RDRAM, SDRAM, DDR SDRAM, 行动装置用RAM和消费者电子产品用SDRAM。内存芯片密度最高达512兆位(512 Mb)，DIMM模组密度则可达2 Gb。
尔必达更拥有各种标准与高效能的封装技术，包括TSOP, BGA, FBGA, Tape Carrier Package (TCP)以及Double Density Package (DDP)等。尔必达的研究设计与发展业务源自于日本NEC和日立(Hitachi)于2000年四月成立的合资事业，业务行销则是于2001年第一季开展。
关于茂德科技
茂德科技位于台湾新竹科学工业园区，产品以高容量与高效能的标准型动态随机内存(DRAM)为主，并生产其它利基型产品，包括pseudo-SRAM和低耗能SDRAM，为台湾技术最先进的DRAM厂商，在全球DRAM产业更以优异制程技术著称。茂德科技拥有两座晶圆厂，八吋晶圆厂制程技术以0.14微米为主，0.11微米和0.12微米制程技术均已试产；十二吋晶圆厂于2002年4月开始量产，目前制程技术以0.14微米为主，是全球最早进入量产的DRAM十二吋晶圆厂之一。（完） |
