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国际整流器公司(IR，International Rectifier)日前推出全新「IRF7821」及「IRF7832」同步降压转换器芯片组，特别针对延长笔记型电脑的电池寿命而设计。这些新型HEXFET MOSFET可适用于电脑服务器电源系统与影像卡的降压转换器，及电信与数据通讯系统的负载点转换器等装置。
为了达到最高的MOSFET效能表现，必须降低组件的导通电阻(RDS(on))，使传导损耗降至最低；同时藉由降低栅电荷(Qg)和栅漏电荷(Qgd)使开关损耗降至最低。两款新组件以IR的条形沟道HEXFET MOSFET技术设计而成，可大幅减低导通电阻、栅电荷与栅漏电荷，效率较采用其它同类型组件的系统提升1%以上。此外，新组件的逆向恢复电荷(Qrr)更低，可将逆向恢复损耗减至最低。
IRF7821的栅电荷及栅漏电荷分别为10nC和2.5nC，最适合作为控制MOSFET，其栅电荷也较其它同类型组件降低40%。
IRF7832于10VGs的最大导通电阻为4.0mOhm，最适用于同步MOSFET应用系统，组件导通电阻不仅较其它同类型组件改进了25%，更可应用于隔离式转换器的次端同步整流。
IR表示：「IRF7821和IRF7832芯片组可提升整体负载范围的效能表现，其低栅电荷于轻负载环境下更能展现更优秀的效率，对延长可携式应用设备的电池寿命来说相当重要。由于效率更高，组件的散热性能得以改善，且有效减少组件数目，成为最适合应用于英特尔新一代迅驰(Centrino)行动运算平台中Vcore电源的MOSFET芯片组。」 |
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