慕尼黑／上海 2003年3月27日 - 德商英飞凌科技进一步向中国市场迈进。英飞凌与中芯国际集成电路制造(上海)有限公司(SMIC)今天正式宣布双方签订协议，进一步合作生产标准存储器芯片(DRAM)。根据协议，英飞凌将向中芯国际转移0.11微米的DRAM沟槽技术和300毫米产品的专有技术。该技术将用于专为英飞凌制造产品。
这一新的举措将提升英飞凌的整体产能，中芯国际目前正在北京兴建的300毫米(12吋)的晶圆厂，将为英飞凌提供每月约15,000片以上的产能。2002年12月，两家公司签订了有关转移0.14微米DRAM沟槽技术的协议，中芯国际将于上海的200毫米(8吋)厂房使用英飞凌的技术专为英飞凌生产芯片。
随着中芯国际北京厂进程的推进，原先20,000片8吋芯片的月产能加上现在每月15,000片12吋的芯片，使总产能有了很大提升，折合产能达到58,000片200毫米的芯片。新建的300毫米厂房预计可能于2004年夏天制造出第一批产品。
「通过与中芯国际合作的拓展，我们无须投资建造生产线，就可以增长DRAM业务，」英飞凌存储器产品部执行总裁Harald Eggers博士说，「同时，我们可以在中国这个最具潜力的市场进一步提升我们的地位，从而成为亚太地区的领头羊。」
「我们很高兴能够与英飞凌拓展我们的合作关系，」中芯国际总裁兼执行长张汝京博士说，「随着半导体业委外代工业务的不断扩大，中芯国际高品质的代工服务将为双方开创双赢局面。」
此次合作进一步巩固了英飞凌作为全球第三大DRAM制造商的地位，成为中国主要的半导体供应商。根据市场分析公司Gartner Datarequest的预测，中国半导体市场规模将从2002年约160亿美金增长至2006年310亿美金左右。 |
