美光：推出4GB DDR Registered内存模组
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2003-03-20·
·文志磊··天极网硬件频道
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 美光科技(Micron Technology, Inc.)日前宣布向英特尔公司供应业界首款4 Gigabyte(GB)双倍速率(DDR，Double Data Rate)同步动态随机存取内存(SDRAM)regisered双线内存模组(DIMM)，该产品也是现阶段适用于服务器及工作站的最高密度DDR内存模组。
美光4GB DDR Registered内存模组分别提供PC1600(DDR200)及PC2100(DDR266)规格型号，采用美光最新发表的0.11微米堆栈式制程1Gb(Gigabit) DDR SDRAM(双倍速率同步动态随机存取内存)及400 mil TSOP封装，符合JEDEC标准规格。
英特尔PC平台主管Pete MacWilliams表示，「美光的4GB DDR Registered内存模组及其1Gb DDR SDRAM技术为英特尔平台客户提供了最新的高密度解决方案。」
美光4GB DDR Registered内存模组采用标准184针接口，工作电压为2.5 V，支援数据错误检查与更正(ECC，Error Correction Code)功能，传输速率为每秒1.6GB(DDR200)／2.1GB(DDR266)。 |
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