南亚科技发表英特尔规格DDR400 SDRAM
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2003-02-21·
·文志磊··天极网硬件频道
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南亚科技于今日(2/20/2003)发表DDR400 SDRAM双倍速率内存同步动态随机存取内存及PC3200双倍速率内存模组(DDR DIMM)。
DDR400 256Mb SDRAM为南亚科技最新发展之DDR SDRAM系列产品，DDR400比现有DDR333有更先进的设计，支持CAS 2.5ns延迟时间，百分之百符合英特尔规格。 南亚科技DDR400颗粒采用0.14微米制程所制造，为TSOPII包装，有×4、×8、×16 I/O规格，适用于高倍速运算应用产品及消费性绘图应用产品。南亚科技之16×16 DDR400并已被主要绘图工程厂商所选用，以支持其高速产品。
南亚科技并发表以DDR400内存颗粒所制造之PC3200无缓冲双线内存模组(unbuffered DIMM)提供128MB、256MB及512MB规格，将支持英特尔新的双通道(Dual Channel)平台，以增加整体系统表现。
南亚科技发言人高启全执行副总表示：「南亚科技是全球DDR400的领导厂商，并且有能力现在量产DDR400，在同业中拔得头筹，并且我们很高兴南亚科技的DDR400已于今年初通过英特尔英特尔公司评估，且符合JEDEC标准规格」。 |
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