英特尔公司创办人称摩尔定律仍有十年寿命
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2003-02-12·
·文志磊··天极网硬件频道
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英特尔公司创办人戈登.摩尔(Gordon Moore)日前在国际固态电路会议(ISSCC,International Solid-State Circuits Conference)上表示,尽管目前半导体技术飞速发展,但预计长期以来被视为半导体业法则的摩尔定律(Moore's Law)在未来十年内仍将继续有效,不过他也表示在制造技术升级到纳米后,为克服类似漏电流问题等技术难题,业者必须在研发工作上投入更多精力。
戈登.摩尔同时强调,他从未表示半导体芯片集成度会每十八个月即提高一倍,他最初认为半导体芯片集成度会每年增加一倍,但在一九七五年时更改为每两年增加一倍,不过时任英特尔主管的大卫.豪斯(David House)却认为半导体芯片集成度及效能会每十八个月提高一倍。
与英特尔董事长安德鲁.葛洛夫(Andrew S. Grove)一样,戈登.摩尔在会上也特别提到了漏电流问题,他表示除制程技术提升外,漏电流及芯片温度同样极待研发人员克服的技术难题。以英特尔高阶微处理器为例,其漏电率高达百分之四十,可以说漏电流问题已经成为微处理器升级到纳米技术后的最大障碍。
据了解,漏电流问题的主因在于制程愈先进晶体管尺寸也愈小,这样一来同样面积的芯片内将集成更多的晶体管,不过整体栅氧化物厚度却相对减少,所以晶体管阈值电压也相对减少,从而导致漏电流,未来随着制程技术不断提升,单一芯片所集成的晶体管数量将倍增到十亿个或者更多时,漏电率高达百分之六十或七十,漏电将会大幅增加芯片的功率消耗。
而对于最新研发出的三维电路层技术,他坦言之前没有预测到半导体会采用多层架构来制造芯片,从而达到提升芯片密度、效能及功能的目的。 |
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