未来新星：DDRⅡ内存技术综述
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2003-01-15·
·姑苏飘雪··天极硬件频道
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2、四倍带宽内存技术
用四倍带宽内存技术的英文全称是Quad Band Memory，简称QBM，QBM并不是什么全新的内存架构，也不是什么全新的内存产品，与双通道DDR技术一样也是一种内存控制技术。QBM采用一种‘位填塞’机制，不需要更高时脉频率的内存组件，在不增加内存基准频率的条件下，QBM可以利用现有的DDR内存和其它组件，实现了能获得两倍数据率的配置。
QBM与DDR一样，是通过缩短数据传输的时钟周期来提高传输带宽的，但两者有有所不同。DDR是通过在时钟频率的上下沿都存取数据来实现带宽倍增的。而QBM则是在此基础上做了一种改进。一个QBM模块由两个DDR内存模块组成，其中一个模块运行在正常频率的速度，而另外一个的模块的时钟周期比前一个模块时钟周期正好慢90度的相位差，也就是说两者的工作起始时间相差1/4个时钟周期，通过这种简单的方法来让QBM得到两倍于DDR内存的工作效率，即一个时钟周期实现了4次数据读写。QBM的两个DDR模块之间采用FET芯片进行连接，而这个FET芯片就起到场效应管的作用－－当做延迟开关。这样就简单的完成了串联了两个DDR模块。
所以从功效上看，QBM技术可以达到双通道DDR技术的效果，可以从根本上解决了目前DDR架构所面临的带宽瓶颈问题。而QBM的最大优势在于QBM利用成熟的DDR内存组件，不再需要设计更高频的内存组件，所以对于内存芯片厂商来说几乎不用对于生产线做什么调整，从普通的DDR转产QBM芯片的成本比较低。而对主板厂商来说，由于这种内存技术在内存接口和内存针脚定义等方面和我们目前的DDR内存完全一样，所以在目前的芯片组的基础上也不需要经过复杂的改造，只要将内存控制重新设计为支持QBM就可以了，原来传统的64位DDR SDRAM内存接口还是能继续使用，主板布线等设计因素几乎不用改动。
QBM内存
从目前的情况来看，VIA、SiS和ALi都表示了对于这种技术的浓厚兴趣，而且VIA准备在今年第一季度末发布的P4X800芯片组将会对于QBM内存模组提供支持。而Kentron、STM、ICS等半导体科技公司已经于去年年底发布了发布了QBM新一代内存技术的模块，3.2GB/s(PC1600x2)与4.2GB/s(PC2100x2)将会在今年第一季度开始供货，稍后将会继续推出6.4GB/s(PC3200x2)模块的QBM内存。
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