日商东芝日前对外宣布将于日本本土建立两座十二吋晶圆厂，不过由于兴建十二吋晶圆厂耗资巨大，为缓解资金压力，东芝宣布将采用分段施工的方式来建立这两座分别位于日本大分及四日厂内的十二吋晶圆厂，预计于明年中期破土动工，不过至于具体的施工顺序则要视市场需求来决定。
据了解，东芝计划新建的这两座十二吋晶圆厂将分别负责制造NAND型闪存芯片及System LSI(系统大规模集成电路芯片)，而这也正是东芝推出DRAM市场后的两大主业，不过由于建立这两座十二吋晶圆厂将共耗费四千亿日圆资金，为缓解资金压力，所以东芝计划采用分段施工的方式建立，并同时需求其它业者的合作投资。
东芝进一步表示，这两座晶圆厂计划于明年中期破土动工，后年下半年竣工量产，但东芝同时也指出，碍于现阶段晶圆价格仍维持较高水准，现在就启用十二吋晶圆厂对低制造成本的作用应该相当有限，东芝预估要等到后年晶圆价格才会逐步下滑，所以东芝计划于后年才将产品全面导入十二吋晶圆厂。 |
