创见：推出新款高容量1GB/2GB DIMM记忆卡
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2002-09-24·
·文志磊··天极网硬件频道
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 台北，台湾，9月23日，2002 - 专业内存研发制造商-创见资讯(Transcend Information Inc.)推出以高容量1GB DDR266 Unbuffered DIMM及2GB DDR266 ECC Registered DIMM记忆卡，可适用于支持DDR作业平台之高阶市场需求如AMD、英特尔845D系列作业平台等服务器及英特尔E7500作业平台等工作站。除了拥有DDR266双倍速的数据传输速度及高效能的优点之外，其采用512M-bit颗粒及多层PCB板设计，将会有更高兼容性及稳定性的表现，绝对是高阶作业平台使用者最佳的选择。
创见资讯内存事业处协理张利民表示：「由于上游DDR颗粒制造厂商制程产出已逐渐从128M bit颗粒转换成较高容量的256M bit甚至512M bit颗粒，加上下游芯片组及相关主板厂商所推出的系统平台大都已支持DDR架构，由此可见DDR颗粒已逐渐成为内存市场主流。因此，为了因应市场趋势及需求，创见此次推出的高容量1GB DDR266 Unbuffered DIMM及2GB DDR266 ECC Registered DIMM内存模块即是采用512M bit容量之颗粒所制成，将不同于一般256M bit颗粒制成的记忆卡，可让使用者拥有最佳的价格效能比。」
除了拥有一般DDR模块2.5V低耗电量、数据传输带宽可达每秒2.1GB等优点之外，1GB及2GB分别由六层板PCB及八层板PCB制造而成，无论在布线路径、走线长度等设计规格都遵循严格的规范，因而能将噪声的干扰降至最低程度，可大幅提升系统运作时的执行效率及稳定性，使系统运作更加的顺畅。对于服务器、工作站等高阶市场需要高容量、高稳定性记忆卡来搭配的特性之下，创见推出的1GB DDR266 Unbuffered DIMM及2GB DDR266 ECC Registered DIMM记忆卡其高效能的表现，可以完全发挥高容量DDR记忆卡的优势。加上创见一贯优质的售后服务及终身免费保固，将充分满足高阶工作平台使用者的需求。
创见1GB DDR266 Unbuffered DIMM - TS128MLD64V6J
创见2GB DDR266 ECC Registered DIMM - TS256MDR72V6K
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