东京涉谷区，RAMBUS Developer Forum，RAMBUS公司今(2)日正式公布了新型高速黄石(Yellowstone)RDRAM讯号技术，独创之FlexPhase电路技术及可实现6.4Gbps传输速率的RaSer V串并行转换器单元细节，另外RAMBUS还首次展示黄石技术RDRAM展示基板与850E RIMM 4200系统。

　　高速黄石(Yellowstone)技术RDRAM样品采用0.13微米制程制造，具备差动型RAMBUS讯号准位(DSRL，Differential RSL)和8倍资料流(Octal Data Rate)这两大特性，并结合独创之FlexPhase电路技术，其中DSRL是一种双向传输技术。它让黄石技术能够以标准的阻抗水准，在标准的印刷电路板上运作，而额外的芯片内建终端电阻，不单提供更清楚的讯号，而且也能有效的减低成本，而8倍资料流透过内建锁相回路(Onboard Phase Locked Loop)，举例来说400MHz的外频可以被细分到内部1.6GHz的速度，并且在每单位时脉在讯号两侧各传送8位数据。因为数据在波型两端都会做传输，所以能达到八倍的数据速率与系统频率，也就是所谓的8倍数据流。

　　黄石技术其它明显的优点包括超低讯号切换电压讯号开关(200 mV)，DDR SSTL(串行线脚终端逻辑)将TTL的3.3V震幅降到2.5V。而黄石技术中的DRSL只需200mV，而且每纳秒都能传输多重位。根据RAMBUS公布的发展蓝图显示，采用0.10微米制程基于黄石技术的相关产品将在2004到2005年正式推出，适用于个人电脑，高阶服务器，工作站及消费家电等领域，另外RDRAM的数据位也将由16位提升到32位，直到64位，其中最高阶的PC1200 RIMM9600能够达到9.6GB/sec的峰值数据传输带宽。