一向于个人计算机用高速内存模块居领先地位的勤茂科技，又推出整合双通道数据传输技术(Dual Channel Combined)的RAMBUS内存模块－RIMM 4200。勤茂科技将在Computex Taipei台北国际计算机展公布的TwinMOS RIMM 4200内存模块，是将工作频率由原先的800MHz推升到1066MHz；再运用双通道整合的技术(Dual Channel Combined)，将内存模块的数据传输频宽，由3200MB/s一举突破到4200MB/s，提升了30%以上的效能，堪称当今效能最佳、速度最快的内存模块。
双通道整合技术的另一特色是：降低主板与内存模块在PCB基版上的用料成本。换句话说，过去主板的板材要大，才足以摆放四条内存模块的插槽：要用四片内存模块的PCB(至少二根RAMBUS RIMM加二根空模块版Continuality RIMM)插满主板的四条内存模块插槽，才能启动计算机系统。而今，新一代支持RIMM 4200的主板只要配置两条(最少)内存模块的插槽，一条RIMM 4200加一条空模块版(Continuality RIMM)就能启动计算机系统，既降低材料成本又提升整体效能。
当超过2GHz以上频率的CPU问世时，现有的SDRAM内存将无法满足计算机系统在高速存取庞大数据时的需求，而会寻求RIMM 4200来解决此一瓶颈。勤茂科技表示：虽然目前可支持整合双信道RAMBUS内存的主板仍属少数，未来Rambus内存仍将是高阶个人计算机及计算机工作站市场的主流技术，此刻推出TwinMOS RIMM 4200内存模块，是为量产先进内存技术作准备，并为2003年支持更高频CPU的下一代高阶主板预作暖身。
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