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DDR I |
DDR II |
| DRAM设备 |
工作电压 |
2.5V |
1.8V |
| 电气信号 |
SSTL_2 |
SSTL_18 |
| 预取功能 |
2bit |
4bit |
| 内部BANK数 |
4 bank |
4 banks (或8 banks，尚未确定) |
| 封装形式 |
66针TSOP/BGA |
60针FBGA |
| 数据控制接脚 |
单向 |
双向 |
| 时钟频率 |
333/266/200MHz |
667/533/400MHz
800/1000MHz (显存) |
| OCD (Off-Chip Output Driver Calibration) |
- |
对应 |
| ODT (On Die Terminator ) |
- |
对应 |
| Posted CAS |
- |
对应 |
| DIMM |
DIMM构成 |
x64、x72 |
x64、x72 |
| 容量 |
64MB - 2GB |
256MB - 4GB |
| 板型高度 |
最大1.125英寸 |
最大1.2英寸 |
| 针角数量 |
184针 |
200/200/240针 |
| Stacked number |
8层 |
6层 |
| DRAM构成 |
x4, x8、x16 |
x4, x8、x16 |
| DRAM密度 |
64Mbit - 1Gbit |
512Mbit - 2Gbit | |
