慕尼黑，德国 - 3月25日，2002 - Infineon Technologies(前西门子半导体)正式公布了业界首款容量达到1GB的超高密度unbuffered DDR SDRAM DIMMs(Dual Inline Memory Modules)工程样品，同时展出的还有针对高端工作站及服务器市场的2GB registered DDR SDRAM DIMMs，这两款产品都采用了单面电路(single-chip)512MB的设计，兼容于Intel最新推出的E7500(Plumas)芯片组/Xeon Prestonia平台，以及ServerWorks GC-LE芯片组/Xeon Prestonia平台。

　　这两款产品均采用TSOP II封装芯片，1GB型号由18片内存芯片(64Mx8)组成，2GB型号则是由36片内存芯片(256Mx4)组成，支援ChipKill内存自我纠错技术，184针界面，工作电压2.5V，数据传输带宽达到2.1GB/s(DDR266)，同时向下兼容DDR200；售价方面1GB型号为1,900美元，而预定4月推出2GB型号则高达3,900美元，只根据客户需求小量出货。