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Rambus RDRAM RIMM4200预览

2002-03-12· ·Star··天极硬件频道

4.2 GB/s带宽：第二阶段

　　从16位模块升级到32位模块只是完成了第一步。将现有PC-800模块改为32位架构之后最多只能够提供3.2 GB/s的带宽(即RIMM3200)。如果要达到Rambus公司所提出的4.2 GB/s带宽的标准，还需要再进行一次改进，那就是提升模块的时钟速度。

　　从PC-800 RDRAM模块问世至今已经有几年的时间，这期间制造商的生产工艺经过了多次的改进，已经日趋成熟和完善。表现在产品身上，最为明显的就是市场上PC-800 RDRAM模块的超频性能不断提升。一旦当绝大多数的内存模块都可以在较高的时钟速度上稳定运行时，制造商就会将其作为新的型号在市场上推出。象以前我们所经历的PC-100到PC-133 SDRAM以及PC-1600到PC-2100 DDR SDRAM等的产品升级都是这种情况。

　　RDRAM也毫不例外，随着产品性能的稳步提升，我们在实际测试中已经完全有可能将800 MHz的模块超频到1200 MHz。当然，Rambus在新产品的推出上还是相当谨慎的，新一代RDRAM模块的入门级速度被定为1066 MHz，恰好与Intel计划推出的533 MHz FSB Pentium 4处理器相适合，可以在两倍于前端总线的速度下运行。当时钟速度提升到1066 MHz时，16位RDRAM模块可以提供2.1 GB/s内存带宽，而改用32位RIMM技术之后，PC-1066模块的内存带宽就达到了4.2 Gb/s。

　　如此一来，将32位架构与1066 MHz时钟速度结合在一起，我们就得到了新一代RIMM 4200模块。凭借4.2 Gb/s内存带宽，RIMM4200无疑将成为当今市场上带宽最高的内存技术，与其它竞争技术相比，优势非常明显。虽然双通道PC-2100系统也可以实现4.2 Gb/s的内存带宽，但是单一模块的带宽能够如此之高还是令人难以想象。

　　上图所示为Samsung公司生产的32位RIMM4200内存模块的产品原形。该模块并没有集成散热片，不过，未来在市场上出售的产品可能会增加散热设备。Samsung无疑已经成为目前RDRAM市场上的领军人物，而其所生产的一系列RDRAM内存产品也受到了用户和市场的热烈欢迎。图中所示的内存芯片上标有“ES”字样，表示该芯片为工程样品。另外，在模块右端还清晰的印有“RIMM3200-4800”字样，大概是表明该模块可以支持的速度范围。如果真是这样的话，RIMM4800将表示RDRAM模块的时钟速度可以提升到1200 MHz，与之相适应，系统前端总线的速度也会提升到600 MHz。很有可能这将会成为今后的发展方向。

【责任编辑：小雷】
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