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三星电子(Samsung Electronics)及现代半导体(Hynix Semiconductor)在近日举行的DDR333内存高峰论坛上公布了第二代DDR规范内存的详细规格(后简称为DDR II)，而目前广泛使用的DDR200/266/333均为DDR I规范的产品，DDR II将采用与DDR I不兼容的240针界面，所以目前所有的DDR主板均无法支持DDR II规范内存，另外封装形式也将变为60针球型，工作频率400/533/667(200/266/333MHz DDR)，工作电压降低到1.8V，单条最大容量可达到4GB；关于DDR II规范的一些具体细节目前还未最终确定，相关产品则预计在明年正式推出。
另外多家一线内存厂商均对目前威盛主推的DDR333持保留态度，因为Intel方面并未把DDR333列入其发展计划中，所以各大厂商均不会在年内采用DDR333规范产品，而DDR400，及DDR II也将接踵而来，所以DDR333很有可能只是一款过渡性产品；不过威盛方面则表示DDR333将有望取代DDR266成为今年的主流产品。 |
