| | 2000年内存技术回顾与展望
| | 2000-12-23·
·笔鸣··天极网硬件频道
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$#@60;$#@62; SDRAM：又叫同步动态随机存储器，是目前使用最为广泛的一种内存。其工作速度与系统总线速度是同步的。它和CPU使用相同的时钟频率进行数据交换，减小了数据传送的延迟。而此前的DRAM都使用异步方式工作，由于没有与系统的外频同步，在存取数据时，系统必须等待若干时间才能接受和输出数据。SDRAM可以让存储控制器知道在哪一个时钟脉冲周期使数据请求被允许，因此数据可在脉冲沿到来时便开始传送，而EDO
DRAM得间隔2个时钟周期才能传送，从而节约了数据传送时间。
SDRAM的带宽为64位，有产品达到了5ns。采取了交叉存取功能和突发式的读取数据方式，响应等待时间和传送数据的效率都颇高。目前最流行的是PC100和PC133两种规格，也有部分厂商开发出PC150。但实际上目前没有任何系统架构对此加以正式支持，要想完全发挥它的实力唯一的途径就是超频。也因为如此，SDRAM显然已经走到了尽头。虽然未来2、3年它还会存在于市场中，但已经是一派夕阳西下的景象了。
$#@60;$#@62; VCM：由NEC公司开发的新一代DRAM，这是一种新兴的"缓冲式DRAM"。他集成了所谓的“通道缓冲”，由高速寄存器负责配置和控制。在实现高速数据传输的同时，VCM还保持着与传统SDRAM的兼容性。所以通常也把VCM内存称为VCM
SDRAM。它的内存分为多个虚拟通道，每个通道负责一个单独的“Memory Master”来为需要访问内存的设备服务，比如CPU、AGP、PCI总线等。
目前的SDRAM内存，在多任务状况下有可能会遇到内存访问冲突的问题，而VCM则通过各自独立的通道，来真正“并行”访问内存数据。VCM在133MHz的工作频率下CL仍可以为2。另外他还可以提供128位的数据宽度，理论上较目前的64位SDRAM由翻倍的效果。作为一种改良的SDRAM，VCM并不会比其他新型内存优异，但其不需要对外部接口进行改动，所以目前广泛得到台湾芯片组开发商的支持。
$#@60;$#@62; DDR SDRAM：双速率的SDRAM。在SDRAM的基础上，采用延时锁定环技术提供数据宣统信号对数据进行精确定位，在时钟脉冲的上升和下降沿都可传输数据，这样DDR
SDRAM就在不提高时钟频率的情况下，使数据传输率提高了一倍。在100MHz下DDR SDRAM可提供 100MHzX2X8 Byte=1.6GB/s的数据传输率，133MHz下可达到2.1GB/s，具有非常诱人的前景。
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