英飞凌技术(Infineon Technologies)与中芯国际集成电路制造有限公司，今(九)日正式宣布签订生产标准存储器
芯片(DRAM)的合作协议。英飞凌将其0.14微米的DRAM沟道技术转移给中芯国际，并在今后考虑转移0.11微米技术。对于这些特殊的DRAM技术与产品，中芯国际将专为英飞凌代工生产。
中芯国际将在上海已建成的八吋晶圆厂房内，装配用于0.14微米生产技术的设备。预计产品将于2003年年中通过技术认证。中芯国际将开始生产256-Mbit DDR 存储器芯片，并随DRAM市场的发展，逐步扩大存储器容量。随着中芯国际厂房设备的进展，预计该项合作将使英飞凌2005年的月投片提高20,000片。
此次合作将进一步巩固英飞凌的全球第三大DRAM制造商地位，同时也使其成为中国半导体市场的主要供应商。根据市场分析公司Gartner Dataquest预测，中国的半导体市场规模将从2002年约160亿美元增长至2006年310亿美元左右。
「此次与中国领先半导体制造商的合作，我们遵循了『Agenda 5-to-1』策略，即在最具有潜力的中国市场上，加强我们的地区表现，进而成为亚太地区市场的领头羊，」英飞凌技术公司存储器产品部的执行总裁Harald Eggers博士说，「同时，与中芯国际的合作，使我们无须增加生产厂的投资就可增长DRAM的业务。」
从中芯国际获得的产能将有助于提升英飞凌位于世界各地的DRAM生产基地的总产能。这些生产基地包括位于德国德累斯顿和美国维吉尼亚州Richmond的生产厂，台湾由华邦运营的生产厂，以及刚与南亚合资的生产厂等。英飞凌藉由存储器生产厂的全球一体化，确保了其产品的统一性和高质量，也促进了各生产厂技术和经验的不断交流。
