日本最大的存储芯片制造商尔必达（Elpida）日前获得了一项新兴存储技术的特许权，意图将可重写光盘的技术应用于其非易失性内存芯片产品。

　　由Ovonyx公司研发的Ovonic Universal Memory（简称OUM）存储器采用了与记录型光盘（如DVD、CD-RW）相同的相变材料，主要成分是银、铟、锑和碲等稀有金属的氧化膜绝缘体。其工作原理为：利用激光束的大功率对盘片进行局部瞬间加温，使激光焦点照射的染料微区产生不可逆的物理化学变化，盘片上的记录层由低反射的非结晶状态转变为高反射率的结晶状态，形成具有与光盘凹坑相同光学反射特性的信息凹坑，用二进位数字0和1的形式记录下数字信息。Ovonyx的存储技术与之不同的是，它使用晶体管取代了激光束，通过控制电子信号（有电子为0，无电子为1；只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做）来达到同样的存储目的。

　　据Ovonyx称，采用该技术制造的存储芯片，其成本将会大大低于闪存，这主要是因为OUM的材料结构和制备工艺相对比较简单，比闪存更易集成。而且，OUM存储单元的密度极高，使其成为便携设备中大容量存储器的理想替代品。

　　闪存最大的缺点就在于可擦写的次数有限制，约为100万次。这对于OUM而言，就不算什么了，用OUM单元制作的存储器大约可写入10亿次，使用寿命比闪存长多了。而且，OUM可支持完全随机访问，数据的读写速度也比闪存快得多，性能几乎可与动态随机存取内存（DRAM）相媲美。

　　不仅仅是尔必达公司，就连英特尔、STMicro这些全球知名的IT厂商，似乎也被OUM的诸多优点所打动，纷纷向Ovonyx购买OUM技术的许可权。不过，目前该技术仍处于测试阶段，要想被广泛地应用于商业，仍需要假以时日，尔必达公司目前正在朝着这个方向努力。

　　“尔必达公司之所以做出‘将Ovonyx的相变技术集成到其存储芯片上’的决定，目的是为了在现有DRAM产品的基础之上取得性能上的重大突破，成为新一代移动设备的高性能、低能耗存储解决方案选择，”尔必达公司的总裁兼CEO Yukio Sakamoto在声明中如此解释。