英飞凌科技与南亚科技合组虚拟DRAM集团，首季产出DRAM市占率达20%，超越海力士半导体及美光科技，成为全球第二大业者，英飞凌执行长舒马赫还表示，2006年前将与南亚连手，超越三星电子，夺下全球DRAM第一大地位。
面临三星、海力士、美光及尔必达(ELPIDA)等堆栈式(Stack)DRAM供货商挑战，英飞凌、南亚连手研发的沟槽式(Trench)内存架构首季表现不俗，两家公司取得20%以上市场，预计华亚十二吋厂产能开出，将进一步提升。
舒马赫表示，英飞凌与南亚的合作将日趋紧密，未来可视为虚拟集团，双方连手进入90及70纳米；按照规划，今年两家公司合计市占率将挤身全球第二，2006年超越三星成为全球最大DRAM厂。
英飞凌第二季将与上海宏力签署0.14及0.11微米DRAM代工合约，加上上海中芯八吋厂0.14微米及北京十二吋厂0.11微米代工协议，该公司在大陆产能将明显提升。
根据南亚与英飞凌的协议，未来双方共同研发的90及70纳米技转给第三公司，南亚将取得33%代工产能。也就是说，未来南亚将伴随英飞凌，陆续取得大陆晶圆厂代工DRAM，扩大市占率。
舒马赫指出，英飞凌与南亚在DRAM市场真正的对手是南韩三星，其它竞争者包括海力士、美光，都是困于老旧厂房拖累，至于尔必达则缺乏资金，未来都将被英飞凌超越。
此外，英飞凌还计划将企业总部迁移至瑞士日内瓦或新加坡，并于大陆设立研发中心，DRAM事业总部则考虑移至华亚工业园区。据了解，华亚半导体企业总部十月落成，目前已经移入欧规
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