nbsp 英特尔公司的研究人员最近取得一项重大突破，开发出世界上最小和最快的CMOS晶体管。该项突破将使英特尔公司在未来5到10年内制造出包含4亿多只晶体管、运行速度高达10GHz（每秒100亿次），并可在低于1伏特的电压下工作的微处理器。
这种晶体管大小仅为30纳米，厚度仅为3个原子层（注：1纳米等于10 亿分之1米）。更小的晶体管意味着更快的速度，而更快速的晶体管是构筑微处理器的核心模块，而微处理器则是计算机和无数智能设备的“大脑”。
新的晶体管，工作时好象开关一样控制微新芯片中的电流，可以在人眨眼的瞬间完成4亿次运算；换言之，它能够在子弹飞梭1英寸距离所需的时间内执行200万次运算。
科学家们期望这种强大的微处理器能够使科幻般的应用－诸如即时/实时语音转换等－成为现实。
来自英特尔实验室的研究人员今日在旧金山国际电子设备会议－全球半导体工程师和科学家们最重要的技术集会上－公布了这一重大进展的详细情况。
“该项突破将使英特尔公司进一步增强其面向未来的微处理器的性能，并降低其成本，”英特尔技术和制造部副总裁兼总经理Sunlin Chou博士说，“我们的研究者大胆地向所谓芯片极限进行挑战，再次证明了摩尔定律的正确性。”
通过缩小晶体管的尺寸，英特尔的研究者得以开发出这种超小型晶体管。用于构建这些晶体管的栅氧化层厚度仅为3个原子层。也就是说，超过10万块这样的栅氧化层叠放在一起方可达到一张纸的厚度。更值得一提出的是，尽管其性能比现行制造技术生产的同类产品高出数代，但其物理架构却和当今的计算机芯片是一样的.
“很多专家认为，由于存在漏电问题，根本不可能造出这么小的CMOS晶体管，”英特尔技术和制造部元件研究实验室主任Gerald Marcyk博士说，:“我们的研究表明，这些超小型晶体管能够像当今的设备一样正常工作，并且不存在阻止我们在将来大批量生产这些设备的根本性障碍。30纳米晶体管的最重要一点在于，它们同时达到了体积小、速度快、低工作电压三个特性。通常情况下仅能达到以上三个特性中的两个，同时达到三个特性无疑是一个重大成就。”
“这一成果使我对未来兴奋不已，”Chou博士补充道:，“实现重大技术突破是一回事，而� 改变每个人生活的实用技术是另一回事。英特尔的30纳米晶体管二者兼具。”
