天极Yesky6月12日消息 日系半导体业者近期开始反扑，以求缩小与美韩间差距，除了大手笔投资设备，在家电、手机等非个人电脑领域拓展业务外，还和同业携手合作，藉此提升技术和产能。
东芝公司四日厂目前正全力开工生产闪存，由于看准短期需求不会衰退，该公司决定投资约1,500亿日圆在此兴建新厂。四日市工厂去年四月起停产动态随机存取内存(DRAM)，改把NAND型闪存当做主力产品，目前看来这个策略相当成功，因为数字相机和拍照手机热卖，NAND型内存也跟着畅销。
生产NAND型的业者事实上只有东芝和三星电子两家公司，行情不容易被破坏，东芝2002年度闪存营业额比上一年度增加约七成。2001年度四日厂因生产DRAM亏损数百亿日圆，现在反而成为主要获利来源。
刚刚获得英特尔投资的尔必达(ELPIDA)决定投资设备815亿日圆，该公司比同业早半年开始量产高性能DRAM，针对非个人电脑领域促销。尔必达今年夏季将率先开始量产新一代DDR2规格内存，其工作电压比现有DDR内存要低0.7
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三星电子在DRAM市场占绝对性的优势，2003年要对内存投资约3,300亿日圆，尔必达的投资规模只是三星的四分之一。尽管尔必达可能很快就会被三星追上，但是在DRAM业，相差六个月就可能导致1,000亿日圆的利益差距，谁先起步就可能占据先机。
不过尔必达并不打算和三星争夺个人电脑用品市场，据该公司预估，未来两年非个人电脑产品使用的DRAM需求将增加75%，2005年市场规模可能达到7,000亿日圆。分析师也认为日本半导体业者开拓非个人电脑领域的策略正确。(完)
