增强产品竞争力，三星公布90纳米制程计划

　　作为去年表现最为亮眼的半导体业者之一的三星公司，日前首次公布九十纳米制程计划，旨在增强DRAM产品的市场竞争力，而另一家韩DRAM大厂即全球市占率排位第三的海力士半导体在获得近四亿多美元资金补助后，也宣布将投入十二吋晶圆厂，并增加DDR产出比重至七成，力图扭转公司目前所处的不利局面。

　　据了解，三星规划的十二吋厂将在上半年内完成建设与设备安装，预计第三季即可将产能提升至单月二万片，同时三星还计划年内直接在十二吋厂导入九十纳米制程，用于内存及闪存芯片的制造，其中内存主要以512Mb、1GB容量DDR为主。

　　此外，三星还计划将NAND型闪存的产出比重由两成提升至三成水准，并将全球市场DRAM市占率提升到百分之三十二至三十五。而据统计显示，去年营收及获利同时创下历史新高的三星还取代了日商东芝，成为头号记忆芯片制造商，而东芝方面仅第三季亏损就达到六千二百万美元，可以说三星此次超越东芝，不单反映了两家公司在市场上的成败，同时也见证了韩日两国在经济战场上的兴衰。

　　至于海力士半导体，虽然长期受到债务问题困扰，但近期在连续出售旗下面板厂及显示器厂后，获得了近五千亿韩元，约合四亿多美元资金补助后，除宣布更新现有生产线，0.18微米生产线转入0.15微米，0.15微米生产线转入0.13微米，还将建立一座自有十二吋晶圆厂，及寻求与海外DRAM业者结成策略联盟。